Se calcula la conductancia diferencial de una juntura N1IN2S (N: metal en el estado normal, S: superconductor, I: aislante) siendo la región N1 un contacto cuántico y la región N2S una juntura plana. En este sistema se presentan estados cuasiligados en la región normal N2 originados por múltiples reflexiones de Andreev y electrón - electrón que ocurren en las interfases. Se solucionan las ecuaciones de Bogoliubov-de Gennes y se determinan los coeficientes de reflexión electrón-electrón y electrón-hueco en la interfase N2S. A partir de estos coeficientes se determina la conductancia diferencial del sistema, la cual presenta resonancias al variar el voltaje aplicado. Las energías para las cuales se presentan dichas resonancias se relacionan con la existencia de estados cuasiligados caracterizados por su energía y tiempo de vida media. Este último depende de la fortaleza del contacto y es finito debido a la difracción de las cuasipartículas al atravesar el contacto.

We calculate the differential conductance of a N1IN2S junction (N: normal metal, S: superconductor, I: insulator) where the N1 region is a quantum point contact and the NS region is a plane junction. In this system quasibound states appear in the normal region N2, which are caused by multiple Andreev and normal reflections that occur in the interfaces. The Bogoliubovde Gennes equations are solved, and we determine the electron-electron and electron-hole reflection coefficients in the N2S interface. From these coefficients it is found the differential conductance of the system, which exhibits resonances when the applied voltage changes. The energies for which these resonances appear are related to the existence of quasibound states characterized by their energy and lifetime. The lifetime depends on the strength of the contact and is finite due to the diffraction of quasiparticles in the contact.