Se han obtenido películas delgadas de AlN mediante el método de Deposición por Láser Pulsado (PLD) con un láser Nd:YAG (λ=1064 nm), en un gas reactivo (N₂),  usando como blanco aluminio de alta pureza (4N)  y como sustrato Si₃N₄  (100). La presión del gas ambiente se varió de 4 mTorr y 5 mTorr. Mientras la fluencia del láser se mantuvo constante a 7 J/cm². El espesor de las películas  fue de 50 nm, medido con un perfilómetro, el tiempo de deposición fue de 10 minutos. La nanoestructura de las películas fue estudiada usando difracción de rayos X (DRX), el estudio morfológico se llevo a cabo por medio de las técnicas (AFM y SEM) y composicional (EDX).  El  tamaño de grano fue de 85,2 nm con una rugosidad de 3,8 nm para una presión de 5 mTorr y de 78,1 nm con una rugosidad de 6,7 nm para una presión de 4 mTorr ambas obtenidas a temperatura ambiente. Las especies presentes en el plasma fueron identificadas por medio de espectroscopia de emisión óptica (EOS), encontrándose las bandas AlN (0,0) y AlN (0,1) para una presión de nitrógeno de 4 mTorr.