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Con el advenimiento del memristor como cuarto elemento electrónico pasivo, se abre un área de investigación que busca consolidar el estudio acerca de dispositivos con memoria y la construcción de los mismos; de hecho, el memristor -resistencia con memoria- ha permitido que la concepción de sistema memristivo se extendido a otros elementos como memcapacitores y meminductores. Como aporte al estudio de circuitos que incluyen elementos memristivos, en este artículo se analiza la solución computacional de la ecuación diferencial ordinaria no-lineal proveniente del circuito MRLC, Memristor-Resistor-Inductor-Capacitor, por el método de Newton-Raphson, utilizando la discretización proveniente del método del Trapecio. Los resultados de la implementación computacional son contrastados con el circuito RLC, asumiendo este ultimo como su limite asintótico cuando $M\rightarrow0$. El resultado de esta implementación servirá como herramienta para validar computacionalmente un estudio futuro de parámetros de circuitos que incluyan elementos memristivos.