Tamaño de la letra:     

Hemos estudiado la estabilidad relativa y la estructura electrónica del compuesto ZnO usando cálculos ab-initio con una base de ondas planas aumentadas y linealizadas en la versión de potencial completo (FP-LAPW) como está implementado en el código Wien2k dentro de la teoría del funcional densidad. Los efectos de intercambio y correlación se trataron usando la aproximación de gradiente generalizado (GGA) parametrizado por Wu-Cohen (2006). Optimizamos el volumen en las fases CsCl, NaCl, Zincblenda y Wurtzita para encontrar la estructura más estable en el estado base y la fase que puede adoptar bajo presión. Encontramos que la estructura wurtzita es la fase más estable para este compuesto binario como lo establecen las mediciones experimentales. Calculamos la estructura electrónica en el volumen de equilibrio de cada fase con el potencial GGA-WC de Wu y Cohen para comparar la brecha de energía prohibida con los datos experimentales. La estructura electrónica obtenida muestra un semiconductor directo en la estructura wurtzita.

We have studied the relative stability and the electronic structure of the compound ZnO using ab–initio calculations, with the Full–Potential Linearized Augmented Plane Wave (FP-LAPW) basis as implemented in the Wien2k code within the density functional theory. The exchange and correlation effects were treated using the generalized gradient approximation (GGA) parametrized by Wu – Cohen (2006). We optimized the volume in the CsCl, NaCl, Zincblende and Wurtzite phases to find the most stable structure in the ground state and the phase that can adopt under pressure. We find that the wurzite structure is the most stable phase for this binary compound as the experimental measurements establish. We have calculated the electronic structure in the equilibrium volume of each phase with the GGA-WC potential to compare the energy gap with the experimental data. The electronic structure obtained shows a direct semiconductor in the wurtzite structure.