En este trabajo se presentan medidas de FTIR (IR por transformada de Fourier) en muestras de mc-Si:H compensadas con Boro.Las muestras fueron preparadas por el método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD). El grado de compensación fue variado entre 0 y 100 ppm usando diborano (B₂H₆) como gas dopante relativo al gas de silano (SiH₆). Se encontró que los espectros vibracionales están caracterizados por tres bandas principales que pueden ser asignadas a los modos de balanceo, curvado y estiramiento (wagging, bending y stretching) del enlace Si-H en el material. Se obtuvo un valor para el contenido de Hidrógeno, C_H, alrededor del 9.2% at. aproximadamente para el conjunto de muestras de mc-Si:H:(B). Se presenta un estudio comparativo de la absoción de IR con una muestra típica de a-Si:H.